定電流ダイオードの補償抵抗の抵抗値の決め方ですが、図はSEMITECのEシリーズのCRDの温度によるピンチオフ電流の変化を示したものです。これによるとE-153（1.5mA）で20℃から50℃に温度が上がった場合、実に17%もピンチオフ電流が低下します。
一方で炭素皮膜抵抗（カーボン抵抗）の温度係数ですが、-200ppmから-800ppmとのことです。%に直すと、-0.02%から-0.08%ということになります。この値では、温度が上昇した場合にCRDでのピンチオフ電流減少を全部補うということにはなりません。おそらくですが、温度上昇分を見込んで、あらかじめ定電流値をかさ上げしておくという意味が大きいのだと思います。

真空管アンプ。ヒーターへの配線が長すぎてごちゃごちゃしていたので短くしてすっきりさせました。それから定電流回路2つを実装、左側の2枚のユニバーサル基板です。といってもご覧の通り、定電流ダイオードに抵抗を並列につないだだけです。初段が定電流ダイオード1.5mAのを一本で抵抗は1.8KΩ、電力増幅段が定電流ダイオード4本並列で56mA、抵抗が2KΩです。この抵抗は補償抵抗といって、定電流ダイオードは温度が上がると電流値が下がるので。それを補正するものです。真空管アンプのシャーシーの中はそれなりに熱くなるので入れた方が無難と思いますが、これまでWebで見た限りではちゃんと入れている人は一人もいませんでした。なお定電流回路ですが、いわゆるキルヒホッフの法則ですね。2つの真空管からの電流が定電流ダイオードに流れるので、2つの真空管電流値の合計と定電流ダイオードのピンチオフ電流が等しくなります。（補償抵抗は、後で考えなおし、電圧増幅部が5KΩ、電力増幅部が3KΩに変更しました。この辺りはトライアンドエラーです。補償抵抗で合計の電流値が増えますが、これは温度上昇での電流低下を見込んだかさ上げの意味があります。）
これで未実装の部品は16で全部抵抗とコンデンサーです。後2日ぐらいで取り敢えずは実装は完了しそうです。